|
от 1 шт - 4611.00 руб.
товар скоро появится на складе
|
| Код |
Производитель |
Тип |
Наличие |
Корпус |
| Пакет |
BRAND |
|
На заказ
|
|
Описание: Технические характеристики прибора:Автоматическое определение расположения выводов следующих компонентов:- биполярных транзисторов (N-P-N и P-N-P),- полевых транзисторов (N- и P-канальных MOSFET и JFET),- диодов и диодных сборок,- тиристоров,- симисторов.- IGBT-транзисторовИзмерение:- коэффициента усиления (h21э) , падение напряжения на переходе база-эмиттер, обратный ток , ,утечки К-Э биполярных транзисторов,- напряжения открывания, емкости затвора , сопротивления открытого канала, наличие защитного , ,диода С-И (и прямое падение напряжения на нем) полевых транзисторов,- сопротивления до 2-х резисторов одновременно (удобно при проверке переменных/подстроечных , , ,резисторов) в пределах от 0.1 Ом до 50 МОм,- емкости конденсаторов в пределах от 10 пФ до 100 000 мкФ,- падения напряжения (прямое включение), емкости (обратное включение) и тока утечки диодов,- индуктивности в пределах от 0.01 мГн до 20 Гн,- напряжения стабилизации стабилитронов (до 36В).
|
+7 (904) 004-44-47 
0 товаров
