от 1 шт - 280.00 руб.
|
Код |
Производитель |
Тип |
Наличие |
Корпус |
Кор193 |
BRAND |
|
В наличии: 77 |
TO-3P |
Характеристики: 50A 650V N-канал
Ток: 50 A | Напряжение: 650 |
Описание: Транзистор 50A 650V G50T65D купить в наличииТип транзистора: IGBTМаркировка: 50T65FD1Тип управляющего канала: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 235Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25?, A: 100Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.2Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5Максимальная температура перехода (Tj), ?: 150Время нарастания типовое (tr), nS: 145Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 90Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 145Тип корпуса: TO-3P
|