Микросхема в г.Тверь |
![]() | ![]() |
31.01.2014 В последнее время широкое распространение получила интегральная микросхема в г. Тверь. Новейшее изобретение самых маленьких размеров интегрированная микросхема способствует развитию микроэлектроники. Логическое развитие полупроводниковых приборов дало толчок к созданию таких микросхем. Совсем еще недавно любой электронный элемент, такой как транзистор, резистор или диод применялся в схемах отдельно друг от друга, был оснащен собственным корпусом, а присоединение к плате происходило с помощью контактов, установленных на каждом компоненте. Но современные тенденции подтолкнули постепенно полупроводниковую электронику на создание такого типа устройств, но только не отдельно друг от друга, а на общем кристалле.
Применение такой современной технологии, на данном этапе позволяет создать общую, полностью завершенную схему на одном кристалле, которая будет состоять из огромного количества электронных элементов. К главным преимуществам новейших разработок и технологий можно отнести следующие положительные моменты:
• Значительное снижение затратной части (стоимость микросхемы значительно ниже, чем стоимость всех отдельно взятых электронных элементов, из которых состоит схема).
• Такие устройства более надежны. Это очень важно, так как мастеру найти неисправный элемент в схеме, которая состоит из огромного количества электронных устройств, будет довольно сложно и кропотливо.
Анализируя вышесказанное, можно сделать определенные выводы о том, что все электронные составляющие интегральной микросхемы по размерам значительно меньше аналогичных старых элементов, установленных в обычной схеме, их потребление энергии во много раз ниже, а вот коэффициент полезного действия в несколько раз выше.