Категории товаров
Мы переехали. Наш новый адрес: ул. Чехова д.17
Ждём Вас по новому адресу. Ваш Chip69.ru
Главная » Транзисторы » IGBT » Танзистор H30R1602 IHW30N160R2 30A 1600V

Танзистор H30R1602 IHW30N160R2 30A 1600V

от 1 шт - 860.00 руб.
от 4 шт. - 770.00 руб.
- + шт.


Код Производитель Тип Наличие Корпус
16-05-1 BRAND
В наличии: 10
 TO-247

Характеристики: 30A 1600V IGBT

Ток: 30 A | Напряжение: 1600 | Описание: H30R1602 — IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) со встроенным антипараллельным диодом.ХарактеристикиМаксимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1600 В.Номинальный ток коллектора: 30 А.Импульсный ток: 90 А.Максимальная рассеиваемая мощность: 312 Вт.Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В.Пороговое напряжение затвора: 4,0–6,0 В.Время выключения: 525 нс.Температура перехода: от -55°C до +175°C.Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2,1 В.Транзистор H30R1602 разработан для применения в силовых электронных устройствах. Некоторые области использования: - инверторы и частотные преобразователи- сварочные аппараты- импульсные источники питания- индукционные плиты- управление электродвигателями.