Категории товаров
Мы переехали. Наш новый адрес: ул. Чехова д.17
Ждём Вас по новому адресу. Ваш Chip69.ru
Главная » Транзисторы » IGBT » Модуль IGBT 6MBI50S-120-50 50A 1200V

Модуль IGBT 6MBI50S-120-50 50A 1200V

от 1 шт - 8832.00 руб.
- + шт.


Код Производитель Тип Наличие Корпус
V-16 BRAND
В наличии: 1
 108x45x21мм

Характеристики: 50A 1200V 17pin

Ток: 50 A | Напряжение: 1200 | Мощность: 300W Описание: IGBT 6MBI50S120-50 — IGBT-модуль с диодом обратного хода (NPT-IGBT + FRD) от производителя Fuji Electric. Назначение: преобразование энергии в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах. Некоторые технические характеристики:максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 Вноминальный ток (IC): 50 А (при 25 °C)ток в импульсном режиме (ICP): до 100 Ападение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)): ~2,1 В (типовое)мощность рассеяния (Ptot): ~200 Вт (с радиатором)температурный диапазон: -40 °C... +125 °C (Tj)количество ключей: 1 (полумост или одиночный ключ)корпус: 6MBI (изолированный, для винтового монтажа).Встроенные компоненты: быстрый антипараллельный диод (FRD), температурный датчик (NTC) — в некоторых версиях. Для охлаждения модуля обязателен радиатор с теплопроводящей пастой.