Категории товаров


Мы переехали с пл. Капошвара, Проспект победы д.3 в здание ТЦ Парадиз, Трёхсвятская д6.к1. цокольный этаж.
План входа отмечен в разделе контакты. Вход с улицы трёхсвятская, между ФрэшБуфетом и СберБанком.
Ждём Вас по новому адресу. Ваш Chip69.ru
Главная » Транзисторы » MOSFET » Транзистор IXFN82N60P

Транзистор IXFN82N60P

от 1 шт - 4350.00 руб.
- + шт.


Код Производитель Тип Наличие Корпус
ST10-1 BRAND
В наличии: 6
SOT-227

Характеристики: N-Channel MOSFET, 72 A, 600 V, 4-Pin

Описание: N-Channel MOSFET, 72 A, 600 V, 4-Pin SOT-227Channel Type NMaximum Continuous Drain Current 72 AMaximum Drain Source Resistance 75 m?Maximum Drain Source Voltage 600 VMaximum Gate Source Voltage -30 V, +30 VMaximum Gate Threshold Voltage 5VMaximum Operating Temperature +150 °CMaximum Power Dissipation 1.04 kWMinimum Operating Temperature -55 °CMounting Type Screw MountNumber of Elements per Chip 1Package Type SOT-227Pin Count 4Series HiperFET, PolarTransistor Configuration SingleTransistor Material SiTypical Gate Charge @ Vgs 240 nC @ 10 VWidth 25.07mmМаксимальная рабочая температура +150 °CМаксимальный непрерывный ток стока 72 AТип корпуса SOT-227BМаксимальное рассеяние мощности 1,04 кВтТип монтажа Panel MountШирина 25.07ммВысота 9.6ммРазмеры 38.2 x 25.07 x 9.6ммМатериал транзистора КремнийКоличество элементов на ИС 1Длина 38.2ммТипичное время задержки включения 28 nsПроизводитель IXYSТипичное время задержки выключения 79 нсСерия HiperFET, PolarМин. рабочая температура -55*С