Категории товаров


Мы переехали. Наш новый адрес: ул. Чехова д.17
Ждём Вас по новому адресу. Ваш Chip69.ru
Главная » Транзисторы » IGBT » Модуль IGBT FF150R12RT4 INFINEON 150A 1200V 790W

Модуль IGBT FF150R12RT4 INFINEON 150A 1200V 790W

от 1 шт - 4190.00 руб.
- + шт.


Код Производитель Тип Наличие Корпус
ST5-2 BRAND
В наличии: 6
94х34х31мм

Характеристики: 150A 1200V 790W

Ток: 150 A | Напряжение: 1200 | Мощность: 790W Описание: FF150R12RT4 — это силовой полупроводниковый модуль на базе транзисторов IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором). Его ключевая особенность — топология «полумост» (Half Bridge). Внутри также встроен диод с эмиттерным управлением (Emitter Controlled 4 diode). Основные характеристики:Напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 1200 В. Ток коллектора (Ic): 150 А (в импульсе может достигать 300 А). Рассеиваемая мощность: 790 Вт. Напряжение затвор-эмиттер (Vge): ±20 В. Корпус: AG-34MM-1 (размер 34 мм). Способ монтажа: винтами. Рабочая температура перехода (Tj): от –40 °C до +150 °C.Модуль рассчитан на задачи в силовой электронике, где важны надёжность и эффективность. Его часто используют в:- инверторах- системах гелиоэнергетики (солнечные электростанции)- источниках бесперебойного питания (ИБП)- приводах двигателей.