Категории товаров


Мы переехали. Наш новый адрес: ул. Чехова д.17
Ждём Вас по новому адресу. Ваш Chip69.ru
Главная » Транзисторы » IGBT » Модуль IGBT MITSUBISHI ELECTRIC CM300DY-24A 300A 1200V

Модуль IGBT MITSUBISHI ELECTRIC CM300DY-24A 300A 1200V

от 1 шт - 10920.00 руб.
- + шт.


Код Производитель Тип Наличие Корпус
ST9-2 BRAND
В наличии: 6
108?62?30мм

Характеристики: 300A 1200V

Ток: 300 A | Напряжение: 1200 | Описание: Силовой IGBT-модуль Mitsubishi Electric CM300DY-24A - это силовой компонент для преобразовательной техники: инверторов, преобразователей частоты, сервоприводов, источников бесперебойного питания и другого оборудования, где нужно коммутировать значительные токи при высоком напряжении. Внутри — два IGBT-транзистора, собранных по схеме полумост. К каждому транзистору параллельно (антипараллельно) подключён быстродействующий диод свободного хода. Такая комбинация нужна, чтобы безопасно замыкать ток при работе с индуктивными нагрузками (электродвигатели, дроссели) — диоды дают путь для реактивной энергии и защищают схему от опасных обратных перенапряжений. Модуль выполнен в изолированном корпусе: полупроводниковые кристаллы размещены так, что силовые цепи отделены от монтажной поверхности. Это упрощает компоновку и позволяет напрямую устанавливать модуль на радиатор для отвода тепла.Напряжение коллектор–эмиттер (VCE): 1200 В. Постоянный ток коллектора: 300 А (при температуре корпуса 82 °C). Импульсный ток коллектора: 600 А. Напряжение затвор–эмиттер: ±20 В. Максимальная рассеиваемая мощность (на один IGBT): 1890 Вт (при температуре корпуса 25 °C). Пороговое напряжение затвора: 6–8 В (типичное — 7 В). Типичное напряжение насыщения (при 25 °C, 300 А, VGE = 15 В): 2,1 В при 125 °C — около 2,4 В. Входная ёмкость затвора: 47 нФ. Полный заряд затвора: 1350 нКл. Время нарастания импульса тока: 180 нс. Максимальная задержка включения: 550 нс задержка выключения — 600 нс время спада — 350 нс. Максимальное время обратного восстановления диода: 250 нс типичный заряд обратного восстановления — 9 мкКл. Напряжение изоляции (силовые выводы — основание): 2500 В переменного тока в течение 1 минуты. Тепловое сопротивление (переход–корпус, IGBT): 0,066 °C/Вт (переход–корпус, диод): 0,12 °C/Вт. Контактное тепловое сопротивление (корпус–радиатор): типичное 0,02 °C/Вт на половину модуля. Температура перехода: ?40…+150 °C. Температура хранения: ?40…+125 °C. Габариты: 108 ? 62 ? 30 мм. Крепёжные отверстия: диаметр 6,5 мм.Силовые выводы: резьба M6.Момент затяжки: силовых выводов и крепления модуля — примерно 4,5 Н·м (40 фунт-сила·дюйм).