Категории товаров


Мы переехали. Наш новый адрес: ул. Чехова д.17
Ждём Вас по новому адресу. Ваш Chip69.ru
Главная » Транзисторы » IGBT » Модуль IGBT SKM300GB12E4 300A 1200V N-канал

Модуль IGBT SKM300GB12E4 300A 1200V N-канал

от 1 шт - 6753.00 руб.
- + шт.


Код Производитель Тип Наличие Корпус
ST69-3 BRAND
В наличии: 3
107х61х30мм

Характеристики: 300A 1200V N-канал

Ток: 300 A | Напряжение: 1200 | Описание: Модуль IGBT SKM300GB12E4 — это силовой полупроводниковый прибор от компании Semikron Danfoss, предназначенный для работы в мощных электронных системах. Он построен на базе технологии IGBT четвёртого поколения (Trench) и представляет собой два последовательно соединённых полумоста.Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce(max)) 1200 ВНоминальный ток коллектора (Ic) 300 А (при температуре корпуса 25 °C)Максимальный ток коллектора (при 25 °C) 422 АИмпульсный ток коллектора 900 АНапряжение затвор-эмиттер (VGE) ±20 ВРабочая температура (Tj) от -40 °C до +175 °CЧастота переключения до 12 кГцКорпус SEMITRANS3Конфигурация Dual (два полумоста)Тип канала N-каналОсобенности конструкции и примененияТехнология Trench: обеспечивает высокую плотность тока и эффективное переключение.Интегрированный диод: включает контролируемый осевой жизни (CAL) диод для эффективной работы во время переключения.Тепловое управление: изолированная медная базовая плита с технологией прямой связи меди (DBC) улучшает теплоотвод.Топология полумоста: два последовательно соединённых IGBT-транзистора обеспечивают эффективное управление нагрузкой.